Продукція > DIODES INC > DMG4800LSD-13
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 Diodes Inc

dmg4800lsd.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4800LSD-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMG4800LSD-13 за ціною від 9.58 грн до 44.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.63 грн
5000+ 11.54 грн
12500+ 10.72 грн
25000+ 9.83 грн
62500+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+22.35 грн
25+ 14.6 грн
62+ 13.05 грн
100+ 13.01 грн
170+ 12.34 грн
500+ 12.18 грн
2500+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.95 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+26.83 грн
25+ 18.19 грн
62+ 15.66 грн
100+ 15.61 грн
170+ 14.81 грн
500+ 14.61 грн
2500+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
343+33.96 грн
462+ 25.24 грн
469+ 24.85 грн
616+ 18.23 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 343
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 129879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.36 грн
10+ 30.86 грн
100+ 21.44 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+38.93 грн
18+ 33.32 грн
25+ 31.53 грн
100+ 22.6 грн
250+ 20.6 грн
500+ 15.05 грн
1000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21709_1-2541784.pdf MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 10306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.38 грн
10+ 33.84 грн
100+ 20.46 грн
500+ 16.01 грн
1000+ 12.95 грн
2500+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.49 грн
21+ 36.66 грн
100+ 22.95 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній