на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.05 грн |
| 5000+ | 14.9 грн |
| 12500+ | 14.56 грн |
| 25000+ | 13.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4822SSD-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.42W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG4822SSD-13 за ціною від 11.31 грн до 43.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K |
на замовлення 13402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 14390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.42W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.42W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |