Продукція > DIODES INCORPORATED > DMHC6070LSD-13
DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated

DMHC6070LSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції DMHC6070LSD-13 за ціною від 29.82 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC6070LSD.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.73 грн
10+ 59.16 грн
100+ 46.02 грн
500+ 36.61 грн
1000+ 29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC6070LSD.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.37 грн
10+ 65.77 грн
100+ 44.57 грн
500+ 37.73 грн
1000+ 30.76 грн
2500+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMHC6070LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMHC6070LSD.pdf DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
товар відсутній