DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 35.6 грн |
| 500+ | 30.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції DMHT10H032LFJ-13 за ціною від 27.56 грн до 108.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 2511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) |
товар відсутній |