DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.98 грн |
| 6000+ | 21.99 грн |
| 9000+ | 20.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V, Supplier Device Package: X4-DSN3118-6.
Інші пропозиції DMN1002UCA6-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN1002UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V Supplier Device Package: X4-DSN3118-6 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
DMN1002UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
товар відсутній |