Продукція > DIODES ZETEX > DMN1004UFDF-13
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13 Diodes Zetex


dmn1004ufdf.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1004UFDF-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V.

Інші пропозиції DMN1004UFDF-13 за ціною від 12.19 грн до 12.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN1004UFDF-13 DMN1004UFDF-13 Виробник : Diodes Zetex dmn1004ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1004UFDF-13 DMN1004UFDF-13 Виробник : Diodes Zetex dmn1004ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1004UFDF-13 DMN1004UFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691073_1-2543155.pdf MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній