Продукція > DIODES ZETEX > DMN1004UFV-7
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7 Diodes Zetex

18dmn1004ufv.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1004UFV-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN1004UFV-7 за ціною від 9.67 грн до 46.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFV.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+12.75 грн
6000+ 11.66 грн
10000+ 10.82 грн
50000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerDI®3333-8
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+20.17 грн
25+ 16.79 грн
57+ 14.31 грн
157+ 13.53 грн
500+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerDI®3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.2 грн
25+ 20.92 грн
57+ 17.18 грн
157+ 16.24 грн
500+ 16.07 грн
2000+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003108755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.07 грн
500+ 14.71 грн
2000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFV.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 105842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.18 грн
10+ 31.15 грн
100+ 21.65 грн
500+ 15.86 грн
1000+ 12.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003108755_1-2542228.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.18 грн
10+ 34.62 грн
100+ 20.91 грн
500+ 16.38 грн
1000+ 13.32 грн
2000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003108755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.32 грн
20+ 38.77 грн
100+ 26.07 грн
500+ 14.71 грн
2000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Zetex 18dmn1004ufv.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Inc 18dmn1004ufv.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній