DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7 Diodes Incorporated


DMN1008UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.53 грн
6000+ 7.87 грн
9000+ 7.09 грн
30000+ 6.55 грн
75000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1008UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN1008UFDF-7 за ціною від 6.86 грн до 31.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865613_1-2543531.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 100376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.38 грн
14+ 22.97 грн
100+ 12.45 грн
1000+ 8.72 грн
3000+ 7.19 грн
9000+ 6.93 грн
24000+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1008UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 167535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.7 грн
12+ 23.59 грн
100+ 14.17 грн
500+ 12.32 грн
1000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn1008ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1008UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN1008UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній