на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1019UFDE-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.17W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN1019UFDE-7 за ціною від 8.24 грн до 40.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6EPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V |
на замовлення 1668000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1019UFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.17W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V |
на замовлення 1669861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 27950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.17W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1019UFDE-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN1019UFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 0.69W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 5A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN1019UFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 0.69W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 5A |
товар відсутній |