DMN1019USN-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 7.15 грн |
| 30000+ | 6.78 грн |
| 50000+ | 6.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1019USN-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 680mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680mW, Bauform - Transistor: SC-59, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN1019USN-13 за ціною від 6.5 грн до 37.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN1019USN-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 680mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 42698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 8375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 8375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V |
на замовлення 59248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W |
на замовлення 71234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN1019USN-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 42698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DMN1019USN-13 Код товару: 121899 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
 |
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DMN1019USN-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| DMN1019USN-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| DMN1019USN-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |