Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H100SK3-13
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated

DMN10H100SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.86 грн
5000+ 17.2 грн
12500+ 15.93 грн
25000+ 14.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMN10H100SK3-13 за ціною від 16.12 грн до 54.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H100SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 49728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.71 грн
10+ 41.41 грн
100+ 28.68 грн
500+ 22.48 грн
1000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H100SK3.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.93 грн
10+ 46.64 грн
100+ 28.04 грн
500+ 23.44 грн
1000+ 19.98 грн
2500+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3-13 Виробник : Diodes Inc 2974dmn10h100sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN10H100SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H100SK3.pdf DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній