Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SFG-13
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated

DMN10H170SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 940mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H170SFG-13 за ціною від 11.65 грн до 42.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DIODS20210_1-2541739.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.88 грн
10+ 33.08 грн
100+ 21.38 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 13.98 грн
3000+ 11.92 грн
9000+ 11.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.5 грн
10+ 35.17 грн
25+ 32.83 грн
100+ 24.65 грн
250+ 22.89 грн
500+ 19.37 грн
1000+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H170SFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
товар відсутній