Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H170SK3-13
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated

DMN10H170SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H170SK3-13 за ціною від 11.84 грн до 41.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 164569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.09 грн
12+ 23.24 грн
100+ 16.11 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 11.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0001166602_1-2541915.pdf MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 39906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.25 грн
10+ 35.84 грн
100+ 23.91 грн
500+ 18.91 грн
1000+ 15.12 грн
2500+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H170SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3.pdf DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній