DMN10H220L-13

DMN10H220L-13 Diodes Incorporated


DMN10H220L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+8.23 грн
30000+ 7.74 грн
50000+ 7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H220L-13 за ціною від 7.72 грн до 30.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004873079_1-2542624.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.38 грн
12+ 25.73 грн
100+ 16.71 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 10.19 грн
2500+ 9.32 грн
10000+ 7.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Виробник : Diodes Inc 2317470547409715dmn10h220l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній