DMN10H220LDV-7

DMN10H220LDV-7 Diodes Incorporated


DMN10H220LDV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+10.2 грн
6000+ 9.32 грн
10000+ 8.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LDV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMN10H220LDV-7 за ціною від 10.12 грн до 39.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H220LDV-7 DMN10H220LDV-7 Виробник : DIODES INC. 3168375.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.95 грн
500+ 16.72 грн
1000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LDV-7 DMN10H220LDV-7 Виробник : DIODES INC. 3168375.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+39.82 грн
28+ 27.19 грн
100+ 19.95 грн
500+ 16.72 грн
1000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN10H220LDV-7 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220ldv.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H220LDV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994423_1-2543899.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній