Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LFDF-7
DMN10H220LFDF-7

DMN10H220LFDF-7 Diodes Zetex

dmn10h220lfdf.pdf Виробник: Diodes Zetex
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LFDF-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN10H220LFDF-7 за ціною від 6.29 грн до 36.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.68 грн
6000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INC. 3168376.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.03 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.26 грн
14+ 20.67 грн
100+ 10.42 грн
500+ 8.66 грн
1000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INC. 3168376.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.82 грн
35+ 21.66 грн
100+ 12.03 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994341_1-2543850.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.13 грн
13+ 24.74 грн
100+ 13.39 грн
1000+ 9.72 грн
3000+ 8.26 грн
9000+ 7.19 грн
24000+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn10h220lfdf.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній