Type-UX;-;-8.jpg "DMN10H220LFVW-7")
DMN10H220LFVW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 8.68 грн |
| 6000+ | 8.01 грн |
| 10000+ | 7.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H220LFVW-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMN10H220LFVW-7 за ціною від 8.12 грн до 42.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : Diodes Inc |
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DMN10H220LFVW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |