DMN10H220LPDW-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 27.49 грн |
| 500+ | 20.95 грн |
| 1000+ | 13.25 грн |
| 5000+ | 13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H220LPDW-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMN10H220LPDW-13 за ціною від 13 грн до 51.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220LPDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS61V-100V |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN10H220LPDW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN10H220LPDW-13 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN10H220LPDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.4A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN10H220LPDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN10H220LPDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.4A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |