DMN10H6D2LFDB-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.41 грн |
| 500+ | 6.59 грн |
| 1000+ | 4.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN10H6D2LFDB-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMN10H6D2LFDB-7 за ціною від 4.16 грн до 26.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN10H6D2LFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN10H6D2LFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMN10H6D2LFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товар відсутній |