Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H700S-13
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13 Diodes Incorporated

DMN10H700S.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.98 грн
13+ 22.06 грн
100+ 12.47 грн
500+ 7.75 грн
1000+ 5.94 грн
2000+ 5.17 грн
5000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H700S-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMN10H700S-13 за ціною від 4.93 грн до 32.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H700S-13 DMN10H700S-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H700S.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.86 грн
13+ 24.28 грн
100+ 11.99 грн
500+ 7.99 грн
1000+ 5.93 грн
2500+ 5.46 грн
5000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H700S-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H700S-13 DMN10H700S-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H700S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
товар відсутній