Продукція > DIODES INC > DMN13H750S-7
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7 Diodes Inc

2702838072119078dmn13h750s.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.33 грн
6000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN13H750S-7 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN13H750S-7 за ціною від 12.8 грн до 41.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN13H750S.pdf Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.21 грн
6000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN13H750S.pdf Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 14096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.34 грн
10+ 33.09 грн
100+ 24.72 грн
500+ 18.23 грн
1000+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN13H750S.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.64 грн
10+ 35.69 грн
100+ 23.24 грн
500+ 18.25 грн
1000+ 14.12 грн
3000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN13H750S-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товар відсутній