на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004VK-7 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN2004VK-7 за ціною від 5.58 грн до 31.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2004VK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 1230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2004VK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 1234767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004VK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFET 20V 540mA |
на замовлення 14272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004VK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMN2004VK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar |
товар відсутній |