на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005DLP4K-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2005DLP4K-7 за ціною від 6.38 грн до 39.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005DLP4K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005DLP4K-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005DLP4K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) |
на замовлення 132075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005DLP4K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Channel |
на замовлення 23333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005DLP4K-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005DLP4K-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2005DLP4K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 0.4W Case: X2-DFN1310-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2005DLP4K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 0.4W Case: X2-DFN1310-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |