DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0011929056_1-2543656.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.87 грн
10+ 33.7 грн
100+ 21.84 грн
500+ 17.58 грн
1000+ 13.59 грн
3000+ 12.05 грн
6000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.31W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 25.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 80A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 10A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції DMN2013UFDE-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2013UFDE-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2013UFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2013UFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товар відсутній
DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2013UFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товар відсутній
DMN2013UFDE-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2013UFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній