DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.89 грн |
| 6000+ | 13.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB).
Інші пропозиції DMN2022UNS-7 за ціною від 15.11 грн до 39.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2022UNS-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2022UNS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2022UNS-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMN2022UNS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W |
товар відсутній |