на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2024UFDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN2024UFDF-7 за ціною від 5.7 грн до 30.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2024UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2024UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2024UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2024UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2024UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 4546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2024UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2024UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2024UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.96W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2024UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.96W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |