DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.24 грн |
| 5000+ | 10.27 грн |
| 12500+ | 9.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 890mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP.
Інші пропозиції DMN2024UTS-13 за ціною від 9.26 грн до 36.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2024UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2024UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2024UTS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
High Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|