на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2025UFDF-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2025UFDF-7 за ціною від 5.49 грн до 29.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2025UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2025UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2025UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 3096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2025UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMN2025UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 30A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 30A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
товар відсутній |