на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2026UVT-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2026UVT-7 за ціною від 6.45 грн до 33.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2026UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2026UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2026UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2026UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode Mosfet |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMN2026UVT-7 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode Mosfet |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMN2026UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.75W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMN2026UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.75W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |