на замовлення 29090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 10.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2027USS-13 Diodes Zetex
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 10.7A, Pulsed drain current: 45A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 19mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMN2027USS-13 за ціною від 10.77 грн до 14.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2027USS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 29090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2027USS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2027USS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMN2027USS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMN2027USS-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMN2027USS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |