на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2028UFDF-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2028UFDF-7 за ціною від 6.32 грн до 35.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2028UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2028UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V |
на замовлення 77987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2028UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2028UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |