DMS2220LFDB-7

DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated


ds31546.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.38 грн
6000+ 9.49 грн
9000+ 8.81 грн
30000+ 8.08 грн
75000+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMS2220LFDB-7 за ціною від 9.3 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMS2220LFDB-7 DMS2220LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31546.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 10 V
на замовлення 92297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
12+ 24.15 грн
100+ 16.78 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMS2220LFDB-7 DMS2220LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31546.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
11+ 25.39 грн
100+ 17.62 грн
500+ 12.91 грн
1000+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMS2220LFDB-7 DMS2220LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31546.pdf MOSFET 20V 3.5A P-CHNL
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.87 грн
11+ 28.26 грн
100+ 18.33 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 11.16 грн
3000+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMS2220LFDB-7 ds31546.pdf
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMS2220LFDB-7 Виробник : Diodes Inc dms2220lfdb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
товар відсутній
DMS2220LFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31546.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMS2220LFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31546.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній