на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.99 грн |
| 10+ | 44.08 грн |
| 100+ | 29.43 грн |
| 500+ | 23.32 грн |
| 1000+ | 18.6 грн |
| 3000+ | 16.27 грн |
| 6000+ | 16.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMS3014SFGQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.69W, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 6A, Case: SOT223, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 2A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMS3014SFGQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMS3014SFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.69W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 6A Case: SOT223 Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMS3014SFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8 |
товар відсутній |
|
| DMS3014SFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.69W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 6A Case: SOT223 Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |