Продукція > DIODES INCORPORATED > DMS3015SSS-13
DMS3015SSS-13

DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated

DMS3015SSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.13 грн
5000+ 9.26 грн
12500+ 8.6 грн
25000+ 7.88 грн
62500+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMS3015SSS-13 за ціною від 10.24 грн до 30.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMS3015SSS-13 DMS3015SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMS3015SSS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 15 V
на замовлення 67443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
12+ 24.77 грн
100+ 17.2 грн
500+ 12.6 грн
1000+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMS3015SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32096-88633.pdf MOSFET MOSFET N-CHAN
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)