DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.67 грн |
| 10+ | 53.59 грн |
| 100+ | 36.25 грн |
| 500+ | 30.71 грн |
| 1000+ | 26.37 грн |
| 2000+ | 22.37 грн |
| 10000+ | 22.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H009SCG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H009SCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V |
товар відсутній |