Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LPS-13
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated

DMT10H010LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.47 грн
5000+ 38.95 грн
12500+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H010LPS-13 за ціною від 36.79 грн до 110.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 Виробник : Diodes Zetex 982279560198656dmt10h010lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+74.75 грн
158+ 74.28 грн
186+ 62.95 грн
250+ 60.28 грн
500+ 49.35 грн
1000+ 39.64 грн
3000+ 39.63 грн
6000+ 39.62 грн
Мінімальне замовлення: 157
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 Виробник : Diodes Zetex 982279560198656dmt10h010lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.73 грн
10+ 69.41 грн
25+ 68.97 грн
100+ 56.37 грн
250+ 51.82 грн
500+ 43.99 грн
1000+ 36.81 грн
3000+ 36.8 грн
6000+ 36.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H010LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 16164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.55 грн
10+ 80.88 грн
100+ 62.92 грн
500+ 50.05 грн
1000+ 40.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H010LPS-3214331.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 20077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
10+ 89.06 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.54 грн
1000+ 41.53 грн
2500+ 40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 Виробник : Diodes Inc 982279560198656dmt10h010lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 Виробник : Diodes Zetex 982279560198656dmt10h010lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H010LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 98A; 1.2W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerDI®5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT10H010LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 98A; 1.2W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerDI®5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній