DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.06 грн |
| 6000+ | 23.9 грн |
| 10000+ | 22.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: VDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm.
Інші пропозиції DMT10H015LCG-7 за ціною від 22.9 грн до 68.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LCG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V |
на замовлення 19980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LCG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H015LCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 62069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H015LCG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LCG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMT10H015LCG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W Mounting: SMD Case: V-DFN3333-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 26mΩ Drain current: 7.5A Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMT10H015LCG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W Mounting: SMD Case: V-DFN3333-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 26mΩ Drain current: 7.5A Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A |
товар відсутній |