DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.77 грн |
| 10+ | 55.77 грн |
| 100+ | 43.34 грн |
| 500+ | 34.47 грн |
| 1000+ | 28.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H015LPS-13 за ціною від 28.24 грн до 80.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMT10H015LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 150A; 2.4W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 25mΩ Drain current: 8A Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMT10H015LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 150A; 2.4W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 25mΩ Drain current: 8A Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A |
товар відсутній |