Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LSS-13
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated

DMT10H015LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.73 грн
5000+ 27.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015LSS-13 за ціною від 25.75 грн до 72.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.01 грн
15+ 39.28 грн
25+ 38.89 грн
100+ 33.41 грн
250+ 30.62 грн
500+ 27.08 грн
1000+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
267+43.97 грн
269+ 43.52 грн
304+ 38.57 грн
307+ 36.83 грн
500+ 31.22 грн
1000+ 27.73 грн
Мінімальне замовлення: 267
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833477_1-2542087.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.83 грн
10+ 50.75 грн
100+ 36.12 грн
500+ 31.71 грн
1000+ 27.64 грн
2500+ 26.24 грн
5000+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.22 грн
10+ 56.61 грн
100+ 44.05 грн
500+ 35.04 грн
1000+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Inc 168881399554136dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товар відсутній