Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015SPS-13
DMT10H015SPS-13

DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated

DMT10H015SPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.77 грн
5000+ 22.71 грн
12500+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015SPS-13 за ціною від 26.27 грн до 26.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H015SPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sps.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015SPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sps.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товар відсутній
DMT10H015SPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h015sps.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товар відсутній
DMT10H015SPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.1A; Idm: 120A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.1nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015SPS-13 DMT10H015SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008534037_1-2543173.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товар відсутній
DMT10H015SPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.1A; Idm: 120A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.1nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
товар відсутній