Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H032LDV-7
DMT10H032LDV-7

DMT10H032LDV-7 Diodes Incorporated

DMT10H032LDV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+23.61 грн
6000+ 21.54 грн
10000+ 19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H032LDV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC).

Інші пропозиції DMT10H032LDV-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H032LDV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010061837_1-2543458.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній