Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H032SFVW-7
DMT10H032SFVW-7

DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated

DMT10H032SFVW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.6 грн
6000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H032SFVW-7 за ціною від 12.42 грн до 47.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.33 грн
10+ 35.61 грн
100+ 24.79 грн
500+ 18.16 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114904_1-2543484.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.12 грн
10+ 39.77 грн
100+ 25.84 грн
500+ 20.3 грн
1000+ 16.16 грн
2000+ 13.69 грн
10000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Zetex DMT10H032SFVW.pdf DMT10H032SFVW-7
товар відсутній
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Inc DMT10H032SFVW.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній