Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT12H060LFDF-7
DMT12H060LFDF-7

DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT12H060LFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 3571400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.12 грн
6000+ 13.79 грн
9000+ 12.77 грн
30000+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT12H060LFDF-7 за ціною від 13.42 грн до 45.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT12H060LFDF-7 DMT12H060LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT12H060LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 3571938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.72 грн
10+ 33.17 грн
100+ 22.98 грн
500+ 18.02 грн
1000+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT12H060LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-3043349.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.41 грн
10+ 39.39 грн
100+ 26.3 грн
500+ 20.76 грн
1000+ 16.62 грн
3000+ 15.02 грн
9000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT12H060LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT12H060LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT12H060LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT12H060LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній