DMT12H090LFDF4-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 21.19 грн |
| 30000+ | 20.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT12H090LFDF4-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerXDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN2020-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT12H090LFDF4-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT12H090LFDF4-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V X2-DFN2020-6 T&R 10K |
товар відсутній |