DMT3003LFGQ-7 Diodes Incorporated
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3003LFGQ-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W, Mounting: SMD, Power dissipation: 2.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 44nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 100A, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 18A, On-state resistance: 5.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції DMT3003LFGQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT3003LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMT3003LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V |
товар відсутній |
|
| DMT3003LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |