Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT32M5LPS-13
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated

DMT32M5LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.32 грн
5000+ 20.37 грн
12500+ 18.86 грн
25000+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMT32M5LPS-13 за ціною від 19.69 грн до 63.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT32M5LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 312475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.5 грн
10+ 49.03 грн
100+ 33.94 грн
500+ 26.62 грн
1000+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007771231_1-2543007.pdf MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.71 грн
10+ 54.59 грн
100+ 32.85 грн
500+ 27.44 грн
1000+ 23.37 грн
2500+ 20.3 грн
5000+ 19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT32M5LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT32M5LPS.pdf DMT32M5LPS-13 SMD N channel transistors
товар відсутній