DMT35M4LFVW-7 Diodes Incorporated
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50 грн |
| 10+ | 34.63 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 500+ | 22.43 грн |
| 1000+ | 18.36 грн |
| 2000+ | 14.75 грн |
| 24000+ | 14.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT35M4LFVW-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1.5W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 16.1nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 110A, Case: PowerDI®3333-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 13A, On-state resistance: 9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMT35M4LFVW-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT35M4LFVW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Case: PowerDI®3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DMT35M4LFVW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Case: PowerDI®3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |