Продукція > DIODES INC > DMT4001LPS-13

DMT4001LPS-13 Diodes Inc


dmt4001lps.pdf Виробник: Diodes Inc
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT4001LPS-13 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMT4001LPS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT4001LPS-13 DMT4001LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
товар відсутній
DMT4001LPS-13 DMT4001LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008534055_1-2543062.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній