Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT47M2LDVQ-13

DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated

DMT47M2LDVQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.17 грн
6000+ 28.59 грн
9000+ 27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT47M2LDVQ-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT47M2LDVQ-13 DMT47M2LDVQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363738_1-2543027.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній