Продукція > MICROCHIP > DN3135N8-G
DN3135N8-G

DN3135N8-G MICROCHIP

MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.81 грн
2000+ 38.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3135N8-G MICROCHIP

Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DN3135N8-G за ціною від 37.76 грн до 64.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.03 грн
25+ 44.2 грн
100+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.12 грн
25+ 53.28 грн
100+ 50.58 грн
250+ 46.08 грн
500+ 43.53 грн
1000+ 42.81 грн
3000+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.85 грн
25+ 48.48 грн
100+ 42.81 грн
2000+ 38.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology supertex_dn3135-1181089.pdf MOSFET 350V 35Ohm
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.5 грн
25+ 49.17 грн
100+ 37.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 190
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+64.3 грн
4000+ 62.65 грн
6000+ 60.96 грн
8000+ 57.31 грн
10000+ 51.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G Виробник : SUPERTEX 20005703A.pdf
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY dn3135.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY dn3135.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній